5个半导体项目投产开工总投资200亿元的湖北先导项目即将投产

  据“荆州发改”官微消息，近日，湖北先导新材料循环经济回收产业园项目锆铪材料车间已进入设施安装尾声。

  湖北先导新材料科技有限公司总经理崔飞表示：“预计本月底锆铪车间可以试生产，锆铪车间生产的产品主要使用在于航空航天、合金及半导体等领域，产品供应给集团总部及外部市场。产品年产能规划2550吨，今年预计能轻松实现60%的产能，产值约3亿元。“通过萃取技术，湖北先导对锆铪进行分离，生产的产品纯度可达99%，达到国内领先水平。目前产品研发主要依赖集团总部，但荆州基地也建设了研发中心，后期也将参与研发一些产品。

  据了解，湖北先导项目总投资200亿元，于2023年1月落户经开区，是荆州市招商引资顶级规模的半导体材料项目。项目分两期建设，一期是循环经济产业回收产业园项目，建有16栋厂房，主要生产镓、铟、锗产品，铋化合物及铋药产品，氧化锆、氧化铪产品，催化剂等产品。二期是电子信息材料及元器件项目，将重点布局半导体靶材、金属前驱体等前沿材料研发生产，主要生产MO源、电子特气、锆铪产品、金属前驱体、银粉银浆、铋化合物等电子材料和新材料。一、二期项目全部建成后年产值可达80亿元，提供就业岗位3000余个。项目投产后，可带动上下游产业链投资超百亿元，为湖北打造“光芯屏端网”万亿产业集群注入新动能。

  据中建一局建设发展公司官微消息，近日，中建一局建设发展公司中标日月新半导体（广州）有限公司新建项目一期土建及一般机电包工程。项目建成后将打造高端半导体封测基地，完善粤港澳大湾区的半导体产业链，提升中国在全球半导体产业中的竞争力。

  据了解，项目位于广东省广州市黄埔区九佛街道中新广州知识城湾区半导体产业园，由日月新半导体（广州）有限公司投资建设。项目总投资15亿，工期24个月，建成后将聚焦高端封测技术为相关产线，提供高标准基础保障，推动国产半导体从设计到制造的全链条协同发展，助力实现“中国芯”的自主可控，目标为粤港澳大湾区建设“国际科学技术创新中心”注入强劲动能。项目设计年产IC产品101.6亿颗/年，半导体双相晶体管3.3亿颗/年SMT产品1.3亿颗/年，分立器件（Discrete）40.9亿颗/年，SIP（新型电子元器件）839.1万片/年，达产后年产值预计可达到5.4亿美元。

  3、总投资160亿元！荣芯12英寸集成电路芯片生产线年二季度重点项目集中开工活动盛大举行，54个重点项目总投资达2281亿元，为浙江经济高水平质量的发展注入澎湃动力。其中总投资160亿元的荣芯12英寸集成电路芯片生产线项目备受关注。

  据悉，荣芯12英寸集成电路芯片生产线项目位于浙江宁波，由宁波荣芯一厂半导体有限公司负责建设运营，项目总投资160亿元，将形成每月35000片12英寸集成电路晶圆的产能，补上浙江集成电路产业的关键一环。据官网介绍，荣芯半导体成立于2021年4月，是一家聚焦成熟制程(28至180纳米)特色工艺的12英寸集成电路制造企业。由国有平台基金和美团、腾讯、韦尔、华勤、北京君正、元禾璞华等半导体产业链公司及知名投资机构共同出资100亿设立。

  荣芯半导体主要布局CIS(图像传感器芯片)、TDDI(触控与显示驱动芯片)、BCD(电源管理芯片)、显示驱动芯片、新型存储等数模混合和模拟类集成电路产品，下游应用场景覆盖工业控制、消费电子、数字家庭、移动通信及汽车电子等，对标英飞凌、德州仪器等国际特色工艺大厂。其目标是在2030年前形成月产20万片12英寸晶圆制造能力、年出售的收益超300亿元的综合性集成电路制造平台。

  荣芯在淮安项目始于2021年，以16.66亿元收购原德淮半导体资产，规划产能是3万片/月，2022年实现了首批产品的量产。淮安产线重点开发BCD工艺平台，产品覆盖工业控制、汽车电子等领域。在成立的短短几年内，荣芯半导体就已经取得了显著的成绩。其刚成立四个月后，就获得了一轮融资，估值达到了95亿元。2024年4月，荣芯半导体以160亿元的估值，登上胡润研究院发布的《2024全球独角兽榜》，位列全球第482位。

  据深圳清溢光电股份有限公司官微消息，4月10日，佛山清溢光电高精度掩膜版生产基地建设项目现场顺利举行首台曝光机搬入仪式，标志着佛山清溢光电高精度掩膜版生产基地郑重进入设备搬入及安装调试阶段。

  据了解，清溢光电此次在佛山布局的全新生产基地总投资35亿元‌，该基地的规划涵盖了高精度掩膜版生产项目与高端半导体掩膜版的生产项目。其中，高精度掩膜版生产基地建设项目‌总投资20亿元人民币‌‌，规划年产能达2万片，将填补华南地区高端掩膜版生产的空白，助力国产芯片产业链自主可控。

  公司项目团队将以首台主设备搬入作为契机，全面展开设备联调与工艺验证，加速推进竣工验收流程，严格把控节点目标，确保项目如期试产投产。按照计划，佛山清溢光电将于2025年底实现量产。未来还将布局研发中心，联合高校、科研院所攻关下一代半导体材料技术，为“中国芯”注入更强动能。

  4月10日，意法半导体官网宣布 “重塑制造布局和调整全球成本基础” 计划。预计在未来3年，着重关注 300mm 硅、200mm 碳化硅的先进制造基础设施和技术研发。

  SiC工厂分布：意大利卡塔尼亚：200mmSiC晶圆预计2025年4季度投产，主攻电动汽车与能源领域。意法半导体去年5月宣布在意大利卡塔尼亚新建8英寸SiC全产业链厂，总投资约50亿欧元。

  重庆安意法工厂：目前8英寸SiC晶圆厂已通线季度投产。据悉，该工厂2023年6月与三安光电宣布合资建设，总投资约230亿元人民币（32亿美元），作为ST的专用代工厂，满足中国新能源汽车行业、工业电源和能源等应用需求。

  Si片工厂分布：意大利阿格拉泰：目标成为300mm硅片旗舰级量产工厂，计划2027年产能翻至4000片/周，远期目标14000片，具体时间取决于市场情况；法国克罗勒斯：计划2027年的产能提升至14000片/周，据市场情况提升至20000片/周。

  GaN工厂分布：意大利卡塔尼亚：集中资源生产200mmSiC和硅基功率半导体，包括硅基氮化镓。

  伴随制造流程自动化，ST预计2026-2027年全球最多2800人自愿离职（不含自然流失）；重点培养工艺控制、自动化设计等新型技术人才；承诺以协商方式推进调整，保障员工权益。